深硅蚀刻设备

RIE-400iPB　研发设备，最大可达4"

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RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。

可以实现高速硅深孔加工

它具有独特的等离子体源和反应器结构，支持博世工艺，可实现硅的快速深钻。

保持速度，减少扇形

通过高速切换气体，可以在保持蚀刻速度的同时减少扇形。

可以进行SiO₂的蚀刻

可以通过更换专用ICP线圈来处理SiO₂。

• MEMS的制造（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）
• μTAS等医疗设备的加工

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