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深硅蚀刻设备

RIE-400iPB 研发设备,最大可达4"


RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备,用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH(德国)授权,能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻。

主要特点和优点
可以实现高速硅深孔加工
它具有独特的等离子体源和反应器结构,支持博世工艺,可实现硅的快速深钻。
保持速度,减少扇形
通过高速切换气体,可以在保持蚀刻速度的同时减少扇形。
可以进行SiO₂的蚀刻
可以通过更换专用ICP线圈来处理SiO₂。
应用
  • MEMS的制造(加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等)
  • μTAS等医疗设备的加工
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