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具有体积小，积层式腔室构造，2流体喷射清洗，节能设计，使用臭氧水降低成本减少污染等特点。
可清洗例如：附着颗粒数… 10个/W以下（0.08μm以上的粒子）
参考：槽式的情况下200/W
实施例
药液…1％dHF，20ℓ/天
纯水…每枚晶片处理需要0.5〜1ℓ/分钟
8英寸晶片情况下
设备主体1100（长），800（宽），1900（高）
药液供给装置510（长），800（宽），1800（高）
Φ12inch wet processor
(single spin type)
Φ6inch & 4inch SiC wafer cleaning equipment
本公司从客户的角度出发，在满足客户对产品性能要求的基础上，努力降低产品价格。
例如通过独创的腔室结构，从而实现滴水预防
为了处理该滴水预防等，无需反吸由处理腔室结构，根据自己的设计。
此外，清洗装置采用独特的搬运方式的设计，从而实现小型低价。
对于“想要高性能的设备，却不想要高价”的客户来说是最完美的清洗设备。
清洗设备制造公司的地位
我们可根据客户所需产品的性能，大小，期望价格等，提供不同设计方案。
材料的过度使用，不必要功能的过度设计将造成设备价格过高，MTK以客户为本，根据客需求的主次而提供设计方案。
MTK拥有独特的室结构技术，在晶片处理过程中通过合理控制气流，液流，最合适的药液选择从而降低晶片表面的颗粒数。
例1）1％dHF 15秒处理（6英寸）20個/W（0.3μm以上）
例2）DIW 30秒处理（6英寸）5個/W（0.08μm以上）
性能高则价格高，性能低则价格低是如今设备市场上的普遍情况。
然而”想要高性能的设备，却不想要高价”的客户也大量存在。MTK将满足这些客户的需求。
MTK拥有其他公司不具备的技术，实现了占地面积小型化
很多设备制造商擅于硬件的制造，而处理技术缓解薄弱。
然而MTK拥有曾在半导体制造公司工作的员工，可针对客户提供最适合的设计方案
例
◯药液的选定
◯处理时间，转数
◯氢水，机能水等
通常情况，固定晶片外周部清洗晶片里面时，对清洗设备硬件的控制十分困难。然而，MTK开发了
同时清洗晶片两面的新技术。
MTK除了节约成本的标准规格清洗设备之外，还提供了可满足顾客需要的各种丰富选项。
例
◯2流喷射 ◯超音速喷射
◯氢水，碳酸水等功能水 ◯臭氧水（最高为30ppm）
◯刷清洗 ◯角基板处理 ◯CMP后清洗
◯半导体（前处理，后处理）
◯SAW滤波器或类似的传感器的
◯硬盘
◯FPD（LCD，智能手机等）
◯MEMS
◯太阳能电池
片面洗浄
2流体ジェット
両面同時洗浄
単結晶SiCウエハ処理
ベルヌイチャック動画ビデオ
枚葉式洗浄＆金属膜蝕刻装置 SiC ＆ GaN
超音波洗浄
10个/W
（@0.08μm）
晶片表面上的粒子数少
W1100✕L800✕H1800
设备安装面积小（8英寸情况下）
约0.3升/晶片
纯净水使用量
约20升/天
药品液体使用量（1％dHF的情况下）
◯晶圆尺寸2英寸到12英寸
◯角基板处理
◯臭氧水，氢水
使用浴槽浸渍法，将晶片从液体取出时，已经去除了的颗粒将再次附着在晶片上。
特别是颗粒会从晶片表面的上部流到底部。
而使用枚叶式主轴方式清洗，晶片从过滤颗粒后的洁净的水中弹出，所以干燥后的晶片表面基本不附着颗粒。
| 比较项目 | 槽式・浸泡式 | 单片式 |
|---|---|---|
| LSI良率（污染数量少的原因） | - | （3~7%良率提升）50nm时代的LSI |
| 产能 | 300片/小时 | 100片/小时（2腔的情况下） |
| 占地面积 | 13m2 | 1.5~3m2 |
| 节拍时间（处理1片时） | 45分 | 1分 |
| 节能 纯水消耗量 | 2000升/小时 | 300升/小时 |
| 节能 药液消耗量 | 100升/天 | 20升/天 |
| 刻蚀片内均匀性（热氧化膜） | 7% | 2% |
| 颗粒附着量（大于0.1um计数） | 200个/片 | 10个/片 |
| 金属附着量 | <1E12 atoms/cm2 | <1E10 atoms/cm2 |
| 设备故障导致的废片数 | 50片 | 1片 |
| 颗粒直径 大于0.08um的颗粒数（6寸Si wafer表面上） |
|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 处理内容 | 0.079～0.086um | 0.087～0.10um | 0.11～0.136um | 0.137～0.202um | 0.203～1.005um | 1.006um～ | 增加总数 |
| DIW→干燥（回转+N2） | 2 | 0 | 2 | 0 | 0 | 1 | 5 |
| 同上 | 6 | 3 | 0 | 0 | 0 | 4 | 13 |
| 药液→DIW→干燥（N2） | 25 | 7 | 9 | 0 | 0 | 0 | 41 |
颗粒去除率92％（6英寸碳化硅晶片颗粒@0.15μm
有机化学溶液（25℃）30秒处理
| 晶片尺寸 | 2寸，4寸，6寸，8寸，12寸 |
|---|---|
| 晶片材料 | 碳化硅，硅，砷化镓，氮化镓，玻璃，LT |
| 处理室数 | 1室，2室，3室，4室 |
| 药液 | 最多两种（共3种类型可选） |
| 药液温度 | 高达80℃（超过80度以上需要追加选项） |
| 可选设备 | 2流体喷射功能（推荐）。超音速喷嘴功能。 |
| 用力 | 纯净水，氮气（干燥），空气，电源，真空（运输） |
| 附着粒子的数量 | 20个/晶片（0.08μm或以上大小）5 个/晶片（0.15μm以上大小） |
|---|---|
| 金属污染物 | 1E10 atoms/ cm 2以下 |
| 刻蚀的均匀性 | 小于2％（使用dHF蚀刻热氧化膜的情况下） |
| 液体化学药品再利用率 | 95％以上可循环使用 |